將白光LED制造產(chǎn)量提高的同時(shí)滿(mǎn)足成本及良品率目標(biāo)的方法之一，就是增大晶片尺寸。目前的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為2英寸，且已有有限的一部分高端LED制造商轉(zhuǎn)移到3英寸或4英寸晶片的加工。而要實(shí)現(xiàn)更高產(chǎn)量、得到有吸引力的投資回報(bào)，需要將現(xiàn)有技術(shù)向6英寸晶片過(guò)渡。

　　為達(dá)到這些條件，6英寸C面藍(lán)寶石晶片的制備技術(shù)需要提高，以確定其與標(biāo)準(zhǔn)2英寸及4英寸晶片擁有完全一致的層沉積結(jié)果。也就是說(shuō)，要確保LED芯片制造商所需要的高良品率。為此，AIXTRON推出靈活的、批量沉積設(shè)備-AIX 2800G4 HT反應(yīng)室，該反應(yīng)室可處理 6x6英寸藍(lán)寶石晶片連同2英寸晶片，同時(shí)保證外延層生長(zhǎng)的一致性達(dá)到最優(yōu)。

　　懷著相同目的，藍(lán)寶石晶片制造商CrystalQ對(duì)自有現(xiàn)有的CMP拋光工藝進(jìn)行了改進(jìn)。新穎的制備工具設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高效操控及對(duì)6英寸C面藍(lán)寶石襯底的粗糙度和平滑度參數(shù)的可控制性。

　　為降低邊緣排除區(qū)域，最優(yōu)化每片晶片上LED芯片的個(gè)數(shù)，兩公司進(jìn)行了特別的努力，并獲得了令人難忘的成果：在光致發(fā)光圖(photoluminescence map)上波長(zhǎng)的標(biāo)準(zhǔn)偏差為248nm (0.55%)而無(wú)邊緣排除。 這一開(kāi)發(fā)項(xiàng)目還實(shí)現(xiàn)了6英寸藍(lán)寶石晶片回收工藝，降低了白光LED制造商的運(yùn)營(yíng)成本。