關于襯底的那些事兒
制作LED芯片，襯底的選用是首要問題。藍寶石(Al2O3)，碳化硅(SiC)，硅(Si)為目前最常用的三種襯底材料，三者呈鼎足之勢。碳化硅襯底，幾乎是CREE的獨門技術，憑借著CREE在LED業界的地位，碳化硅襯底雖然體量不大，但其影響力卻毫不遜色于藍寶石。碳化硅襯底制作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件，彌補了大功率芯片的空擋。【更多】
目前，藍寶石和碳化硅已經形成了LED全行業的布局，伴隨著LED行業的發展，基于藍寶石襯底的技術發展變緩，再加上其成本高昂、專利壁壘等問題，眾多專家與工程師開始尋求性價比更高的解決方案，而硅襯底則被業界寄予了厚望，尤其是飽受專利問題折磨的中國企業，對硅襯底有著更為迫切的需求。2014年7月初，東芝 (Toshiba)宣布計劃于今2014年內正式大規模量產白光LED產品，目標為將其月產能大幅擴增至現行的150倍。而東芝所生產的白光LED……【更多】
晶能光電硅襯底LED技術榮獲國家技術發明一等獎
1月8日，國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行，由南昌大學、晶能光電(江西)有限公司、中節能晶和照明有限公司共同完成的“硅襯底高光效氮化鎵基藍色發光二極管項目”榮獲國家技術發明一等獎。項目主要完成人包括晶能光電聯合創始人、南昌大學副校長江風益教授，晶能光電副總裁孫錢博士，晶能光電聯合創始人、CEO及晶和照明創始人王敏博士等人。【更多】
據晶能光電孫錢博士介紹，硅襯底LED技術仍有巨大的發展空間，可望獲得大尺寸外延片，以便結合集成電路6寸和8寸的裝備以及成熟的產線組織和管理經驗，進行大規模自動化制造，從而提高生產效率，使LED產品綜合成本進一步大幅度降低，這或將影響全球LED行業，改變競爭格局。江風益教授進一步展望：“基于藍光LED加熒光粉的照明技術路線，還只是一種過渡性技術方案。”【更多】
硅襯底LED緣何能獲“國家科學技術發明一等獎”？
我們采用新一代的應力調控技術消除了硅襯底上外延生長GaN薄膜易產生裂紋的難題，而且有效過濾了位錯等缺陷，GaN的晶體質量與藍寶石平片襯底上生長的水平相當。在硅基GaN的材料平臺上，我們研發了高效的量子阱生長技術與P型摻雜技術。硅基GaN的LED的芯片制備采用了垂直結構，具體包括高效反射鏡、及氮面粗化技術，顯著提高了LED的取光效率。【更多】
江西省近日印發打造南昌光谷、建設江西LED產業基地實施方案，方案顯示產業規模目標為，到2020年全省LED產業主營業務收入在2015年基礎上翻兩番，總量超過1000億元，力爭占全國的15%，其中南昌達到500億元;技術分布中硅基LED技術全產業鏈達到500億元。除應在LED領域之外，襯底SiC、GaAs/ GaN、Si還廣泛應用在太陽能、軍工、通信、集成電路等，市場空間巨大。【更多】
硅襯底技術攬獲國家大獎 LED產業終迎中國標準
硅襯底項目的主要參與人員孫錢表示，“從國家戰略層面講，硅襯底技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業”。據介紹，國家技術發明一等獎判定標準為：屬國內外首創的重大技術發明或創新，技術經濟指標達到了同類技術領先水平，且推動相關領域技術進步且已產生顯著的經濟或者社會效益。自LED發明以來，在照明應用領域存在三條LED照明技術路線，分別是藍寶石襯底(AI2O3)……【更多】
自主創新的全球視野，決定了中國LED產業的使命不是對國際標準的仰望，而是要把中國的標準變成世界的標準。盡管目前市場上主流技術還是藍寶石襯底技術，但在江西省“十三五”規劃里，依托硅襯底技術大力發展LED產業群是重頭戲之一。江西省當地LED企業已經率先布局。“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”由江西省申報，項目主要參與人員包括南昌大學的江風益教授、晶能光電(江西)有限公司的孫錢等人。【更多】
在政府以及資本的雙重扶持下，硅襯底終于邁到了新的節點，其大規模化應用指日可待。可以想見，“中國芯”將不再是紙上談兵，或許在不久的將來可與藍寶石、碳化硅三分天下，全球LED產業格局將被重塑。此項技術屬于中國自主研發，或將構建中國LED產業標準，成為中國LED產業的下一個突破口。另一方面，硅襯底LED目前的應用仍然尚未成熟，未來的產業化步伐仍然任重道遠。
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