LED已經不單單滿足于通用照明市場的份額，隨著下游對一些特殊細分應用市場的關注度提升，部分LED芯片廠商開始針對紫外、紅外等領域市場布局，并持續推陳出新。也正因為此，阿拉丁評測室接下來將開始把更多目光投向這一新興應用領域，并針對開發應用產品推出更多系列評測。

　　晶元光電持續熱推的型號ES-SASFPN42D紅外芯片產品，曾“創下全世界發光效率最高的實驗室紀錄”而引發關注，最近我們拿到20個該型號樣品，為一探究竟，我們將樣品納入這一期的測試與評估。并特別邀請佛山市香港科技大學LED-FPD工程技術研究開發中心作為第三方檢測機構對樣品參數和性能進行檢測。

　　樣品初始為紅外芯片裸晶狀態，尺寸42 mil X42 mil，厚度 6.7mil，為垂直結構芯片，上表面焊點及下表面均為鍍金，如圖1所示。

　　圖1 芯片外觀

　　此次實驗室評測是基于將該款芯片封裝到 5050 支架上進行性能測試，可以看到如圖2所示。

　　圖2 芯片封裝于 5050 支架

　　基本光色電性能

　　首先，利用遠方光譜分析系統及 0.3m 積分球(圖 3),并隨機抽取5顆樣品對該款樣品進行了光色電參數基本測試，其測試結果如表 1 所示。

　　圖3 遠方光譜分析系統及 0.3m 積分球

　　表1 基本光色電參數(@ 350mA)

　　隨機選取的5顆樣品在350mA電流狀態下，輸出的平均輻射功率為 316.4mW，電光轉換效率為 61.00%，平均峰值波長為 858.9 nm，半波寬為35.5nm。

　　依據以往測試結果和經驗來看，同樣操作條件下，一般紅外芯片電光轉換效果大概維持在50%左右，差不多高出約11%，也就是說，消耗同等電功率的情況下，可以提供較傳統芯片更高的亮度輸出。在一些高紅外照度需求的行業，這在一定程度上可以為創造更高效率的紅外照明解決方案提供基礎。

　　在表現LED光譜能量分布時我們常以峰值波長和光譜半波寬來作為重要參照。一般由GaAs材料制得的紅外LED在波長分布上明顯要比其他化合物種類、結構制成的LED要寬，樣品測得平均峰值波長858.9nm，一般認為，850-950nm范圍已經屬于長波長紅外光，與此前一直在受波長寬幅掣肘的傳統紅外芯片對比來看，確實有不小的進步。從峰值波長曲線對應的半波寬平均值為35.5nm，可以看出光譜寬度還是比較窄的，說明在發光顏色上比較鮮明純凈，十分清晰。