9月26日，華燦光電在深圳前海萬豪酒店舉行新Mini LED新品發布會暨微顯示戰略合作簽約儀式，發布了新一代Mini LED芯片產品，并且介紹了華燦光電在微顯示領域的技術進展以及未來的技術布局。
發布會現場
華燦光電董事長俞信華
根據LEDinside最新數據，當下，隨著小間距顯示市場的飛速發展以及對顯示技術要求越來越高，Mini LED和Micro LED技術在顯示領域的優勢引起業內持續關注。Mini LED顯示將應用于電視、手機、車載顯示、數字顯示(商業廣告與顯示等)，預估2025年市場規模為10.7億美金。2023年，預期采用Mini LED背光的TV背板市值將達到82億美金，其中20%的成本比例在Mini LED芯片。
作為國內行業規模第二的LED芯片企業，華燦光電一直以來關注并鉆研LED外延片及芯片技術的發展趨勢，對Mini LED和Micro LED技術很早就進行了布局，并取得了實質性進展。
此次，華燦光電發布了背光用Mini LED芯片及Mini RGB LED芯片新品。
RGB Mini LED芯片技術優化方面，華燦設計了高可靠性、高亮度的DBR倒裝芯片結構。通過優化PV和Mesa刻蝕工藝，使金屬連接層平滑覆蓋;優化了電極結構和金屬沉積工藝，設計出高可靠性的電極;并且，通過特有的混編技術，可以消除COB應用情況下的Mura效應。此外，隨著芯片尺寸的持續減小，免錫膏封裝芯片方案將成為提高良率、降低成本的關鍵，對此華燦光電已實現了將錫球直接制作在Mini LED芯片電極上的技術應用。在紅光Mini LED芯片技術方面，華燦開發出高鍵合良率的轉移和鍵合工藝;并設計了頂傷防護層，優化材料沉積工藝，增強膜質，保證無外延頂傷風險。在背光Mini LED芯片技術方面，華燦優化了膜層結構設計，調節芯片出光，更易實現超薄設計。
外延材料、芯片工藝、巨量轉移的良率將極大影響Micro LED的制造成本和修復成本，從而決定Micro LED在不同終端上的應用。在Micro LED外延技術方面，波長均勻性提升、particle控制以及更大尺寸外延片生產等方面取得了較大的進展，目前所獲得的大尺寸外延片具有業界領先的波長均勻性和較低的表面缺陷密度，為實現更有成本競爭力的Micro LED顯示技術打下了良好的基礎。在Micro LED芯片技術方面，華燦在Sub微米級的工藝線寬控制、芯片側面漏電保護、襯底剝離技術(批量芯片轉移)、陣列鍵合技術(陣列轉移鍵合)、Micro LED的光形與取光調控方面取得了較好的結果。目前所獲得的的芯片良率可以達到5個9的水平，紅光Micro LED效率也到達了國際領先水平，并針對不同轉移方式，可以提供多種形式的Micro LED樣品。
據介紹，華燦光電Mini RGB芯片早已批量出貨，并以高穩定性能獲得客戶好評，當前階段5*10為量產主力，Q4量產4*8，3*6將在2020 Q1量產;Mini BLU產品也與終端客戶進行戰略合作，研發進度亦在穩步向前推進。在Micro LED技術方面，華燦光電在該領域的布局中也走在前面，和國內外重點客戶的聯合開發在穩步推進中。
