乾照光電7日晚間公告，公司擬出資15.97億元，建設VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目。
根據公告，該項目總投資約15.97億元，其中銀行貸款8.51億元，其余資金由公司自籌出資。該項目預計2018年啟動，2021年建成投產，2022年實現滿產運行，項目建設內容主要為主生產廠房、污水處理站、氫氣站、氮氣站、化學品 庫、宿舍、其他倉庫等。項目資金運用上，建設投資11.96億元，建設期利息3024.99萬元，流動資金3.70億元。
項目投產后，預測達產后年銷售收入9.66億元，達產年利潤總額2.37億元，達產年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅后財務內部收益率為21.72%;投資回收期6.01年。
資料顯示，VCSEL是以砷化鎵半導體材料為基礎研制，是一種半導體激光器。2017年VCSEL全球市場規模大概在1.5億美元左右。2019年，應用于智能手機的VCSEL芯片出貨量預計將增長至2.4億顆，全球VCSEL市場的復合年增長率(CAGR)可達17.3%，市場規模到2022年或將增長至200億人民幣。目前安卓手機陣營中沒有應用國產化的VCSEL芯片。VCSEL外延片芯片的關鍵技術主要為國際少數幾家大公司所壟斷，也是國內激光芯片產業中較為薄弱的環節。
公司方面表示，砷化鎵/氮化鎵半導體器件主要依附于MOCVD進行外延生產，技術含量高;在軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛，而相關國內廠商稀缺，國家正大力支持該行業的迅速發展。公司憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發和生產的積累，通過本項目的建設，將有助于公司在其他市場領域的突破，對公司的戰略發展具有重要意義。
另外，項目建成達產后，有利于推動高端可見光半導體LED芯片的國產化進程，降低終端應用產品的生產成本，促進產業健康發展，完善我國自主的LED產業鏈，提升我國半導體產業的國際競爭力。
