普瑞將生產硅襯底LED芯片 成本或下降20-30％
摘要： 普瑞公司已經大大提高了硅襯底LED芯片的流明/瓦，光色和顯色指數等性能，而這些性能的高低直接決定了LED芯片質量的好壞。在今年三月，普瑞公司宣布其硅襯底氮化鎵LED發展戰略時，就已經取得135流明/瓦的白光。
普瑞近日宣布，其新制造工藝的性能指標獲得提升，預計將在未來兩年制造基于硅襯底的LED芯片，普瑞希望此舉可以降低大約20%至30%LED照明成本。
目前，LED的成本仍然居高不下，嚴重阻礙了LED照明在通用照明領域的普及。
當前，大多生產的LED芯片仍以藍寶石或碳化硅襯底為主。為了降低LED芯片的生產成本，多年來研究人員一直在努力完善基于硅襯底的LED制造工藝，但仍存在硅襯底開裂或扭曲的問題。普瑞宣稱，其先進的LED生產工藝可以在硅襯底上生產出同等性能的氮化鎵LED。
對于冷光源，其樣品可以實現160流明/瓦，而暖黃色光源則可以達到125流明/瓦。真正面向用戶推出的暖色LED燈泡其效率有望達到85流明/每瓦，比目前的商用LED照明產品效率更高。上周飛利浦90流明/每瓦的LED燈泡獲得了美國能源部的L Prize競賽大獎，預計該款LED燈泡將在明年上市。
普瑞公司戰略和發展副總裁Bullington表示，將力爭在未來24個月推出基于硅襯底的LED芯片，這是一個非常切合實際的目標。其中最大障礙是如何制造那些芯片。
普瑞公司已經大大提高了硅襯底LED芯片的流明/瓦，光色和顯色指數等性能，而這些性能的高低直接決定了LED芯片質量的好壞。在今年三月，普瑞公司宣布其硅襯底氮化鎵LED發展戰略時，就已經取得135流明/瓦的白光。
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