AIXTRON新一代MOCVD反應爐已達生產力目標
摘要： 德國MOCVD(LED外延生長設備)大廠AIXTRON AG在2月22日發布新聞稿指出，新一代MOCVD Platform AIX G5 HT系統已達成生產力目標：在600毫巴(mbar)以上的高壓下能以極高的速率完成高質量的氮化鎵(GaN)沉淀，產量超過前一代系統的1倍，氮化鎵/氮化銦鎵(InGaN)也有優異的均一性。在無反應爐烘培或替換任何零件的情況下，上述晶膜的生成在臺灣晶電廠區連續進行。
德國MOCVD(LED外延生長設備)大廠AIXTRON AG在2月22日發布新聞稿指出，新一代MOCVD Platform AIX G5 HT系統已達成生產力目標：在600毫巴(mbar)以上的高壓下能以極高的速率完成高質量的氮化鎵(GaN)沉淀，產量超過前一代系統的1倍，氮化鎵/氮化銦鎵(InGaN)也有優異的均一性。在無反應爐烘培或替換任何零件的情況下，上述晶膜的生成在臺灣晶電廠區連續進行。目前此MOCVD反應爐正要轉換至量產階段。AIXTRON 22日終場逆勢上漲2.02%，收23.48歐元；在NASDAQ掛牌的ADS漲2.6%，收31.94美元。
美聯社2月初曾報導，Merriman Curhan Ford分析師Bill Ong 4日表示，MOCVD設備訂單異常強勁恐將導致產業在短期內面臨產能過剩的窘境，這將進一步迫使LED價格走低。
由于LED照明市場商機逐漸浮現，相關類股表現也隨之引人側目。AIXTRON AG在德國掛牌股票的2009年度漲幅高達393.70%。根據科技市調機構iSuppli 09年12月14日發表的報告顯示，預期2009年全球LED銷售額可望年增10.9%至74億美元，并于2013年進一步攀升至143億美元。（編輯:FJ）
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