高亮度紅光LED芯片是一種亮度高、可靠性好的發光器件。相對于普通結構的紅光LED芯片，高亮度紅光芯片采用鍵合工藝實現襯底置換，用到熱性能好的硅襯底(硅的熱導率約為1.5W/K.cm)代替砷化鎵襯底(砷化鎵的熱導率約為0.8W/K.cm)，芯片具有更低熱阻值，散熱性能更好，有利于提高可靠性。另外，在P-GaP上鍍反射層，比普通紅光外延層中生長DBR反射鏡出光效率更高。為了克服光在芯片與封裝材料界面處的全反射而降低取光效率，還在芯片制作一些表面紋理結構。相同尺寸相同波長的芯片，20mA電流下，兩者光強相差兩倍以上，圖-1是高亮度紅光芯片剖面示意圖。圖-2是芯片實物圖片.

　　高亮度紅光LED芯片因為本身發光效率高、可靠性好，主要應用于對亮度、可靠性要求較高的場合，比如幕墻屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域。之前由于普通紅光LED芯片亮度不夠，在由紅(R)綠(G)藍(B)組成的一個全色模組中通常的構成是一顆藍光芯片、一顆綠光芯片、兩顆普通紅光芯片。現在若使用高亮度紅光芯片則一顆就可滿足要求，而且可靠性高，維護成本明顯降低。 　　目前市場上較多的是普通結構的紅光芯片，價格已經很低，利潤空間很小。高亮度紅光芯片有較大的市場需求，由于在制造技術上有一定的難度，目前只有少數幾家公司能批量供貨，產品的性價比較高。

　　2008年底士蘭明芯科技有限公司開始開發高亮度紅光芯片，技術團隊不斷調整試驗方案、優化工藝參數，使不同熱膨脹系數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬，鍵合良率和可靠性得到保障。

　　金屬反光特性一直是影響紅光芯片亮度的一個主要因素，通過大量試驗，已經徹底解決了這一問題。

　　發光二極管的電極合金條件不合適會導致金絲鍵合時電極脫落，對于高亮度紅光芯片而言，電極合金的工藝要求更高。為了解決好電極和紅光外延層粘附性問題，士蘭明芯的技術團隊在表面處理、合金層結構、合金條件做了大量試驗和重復驗證工作，克服了電極容易脫落這一難題。

　　士蘭明芯高亮度紅光芯片的各項參數指標已達到先進的水平，2009年7月份進入批量生產。現在生產的芯片尺寸規格有280um280um、350um350um兩種。

　　士蘭明芯藍、綠光LED芯片的客戶一直以來希望士蘭明芯能提供高亮度紅光芯片以為他們的全色模組配套，將方便他們的采購和質量管理。對士蘭明芯來說，高亮度紅光芯片的推出除了增加一個新的產品系列外，也將有利于擴大現有藍、綠光芯片的銷售。