晶能光電成功研制硅襯底高功率InGaN LED
摘要： 據了解，晶能光電長期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生長技術，該公司總部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光LED，在350mA電流下光輸出超過100流明，采用1x1mm芯片。
長期潛心研究硅襯底LED的江西晶能光電日前演示了基于硅襯底的高功率InGaN LED，據說性能接近于采用傳統襯底生長的LED。
據了解，晶能光電長期致力于研制GaN-on-Si MOCVD生長技術，該公司總部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光LED，在350mA電流下光輸出超過100流明，采用1x1mm芯片。
目前絕大多數LED的生產是在一個藍寶石或碳化硅襯底上沉淀多層GaN薄膜，而晶能認為，基于硅襯底生長的LED在成本節約和控制上將發揮更大潛力，并且性能絲毫不亞于傳統工藝制作的LED。
晶能光電目前已經獲得來自美國，臺灣和新加坡多家風險投資基金提供的5000多萬美元的投資，包括Mayfield, GSR Ventures, Asiavest以及Tomasek。該公司目前用于顯示領域的小尺寸管芯(200-micron)已經進入量產階段。
最新的1x1mm 芯片研發成果將在第八屆國際氮化物半導體會議上公布，本次會議將于2009年10月18日-23日在韓國濟州島舉行。
結果描述了一種生長于硅襯底(111)的高功率、倒裝焊(Flip-Chip)、立式精密注塑(Vertical Injection)薄膜藍光和白光InGaN/GaN LED，盡管該公司也宣布開始采用6英寸晶園，不過本次卻采用2英寸襯底。
(編輯:FJ)
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