美國Cree公司在2007年6月14～15日“日經(jīng)電子”和“日經(jīng)微器件”共同舉辦的“LED技術(shù)研討會2007”上，介紹了SiC底板上形成的藍(lán)色LED的開發(fā)狀況。

　　關(guān)于藍(lán)色LED的光輸出功率，Cree預(yù)測表示，輸入電流為20mA的產(chǎn)品方面，最大的光輸出功率07年7月將達(dá)36mW、08年7月將達(dá)40mW、09年7月將提高到44mW。輸入電流為350mA的產(chǎn)品方面，最大光輸出效率07年1月為340mW，預(yù)計08年1月將達(dá)420mW、09年1月將為400mW(以上?)、09年10月將達(dá)到550mW，一路提高下去。與熒光材料組合而成的白色LED方面，目前量產(chǎn)產(chǎn)品的發(fā)光效率為80lm/W，開發(fā)產(chǎn)品則達(dá)到了120lm/W。09年量產(chǎn)產(chǎn)品將實現(xiàn)發(fā)光效率120lm/W。

　　Cree公司展示了開發(fā)中的藍(lán)色LED芯片的結(jié)構(gòu)。它在SiC底板上使GaN發(fā)生外延生長(Epitaxial Growth)。芯片結(jié)構(gòu)為，不采用下部電極而從表面實現(xiàn)正負(fù)極連接的2線焊(Wire Bonding)連接倒裝芯片(Flip Chip)結(jié)構(gòu)。由于沒有下部電極，所以發(fā)光層發(fā)出的光在GaN層內(nèi)不再發(fā)生反復(fù)反射，與此前的芯片結(jié)構(gòu)相比，將光取出芯片外的效率(光取出效率)將會提高。(編輯：PCL)