由南昌大學承擔的863計劃新材料領(lǐng)域課題“硅基鎵氮固態(tài)光源關(guān)鍵技術(shù)研究”日前通過了驗收。該課題在第一代半導體材料硅襯底上研制成功第三代半導體材料氮化鎵基藍色發(fā)光二極管，處于國際領(lǐng)先地位，并在全球率先實現(xiàn)了小批量生產(chǎn)。

　　目前市場上出售的氮化鎵發(fā)光二極管都是以藍寶石或碳化硅作為襯底，其基本專利分別為日美發(fā)達國家所壟斷。以硅作為襯底生長氮化鎵發(fā)光材料是業(yè)界的夢想，但因為存在諸多難以克服的困難，全球許多研發(fā)機構(gòu)無功而返。南昌大學教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心在863計劃的支持下，成功地解決了國際上存在的硅襯底氮化鎵發(fā)光材料龜裂、發(fā)光二極管亮度低、工作電壓高、可靠性差等問題，研制的硅襯底氮化鎵發(fā)光二極管材料的質(zhì)量和器件性能均處于國際同類材料與器件中的領(lǐng)先水平，生產(chǎn)的硅襯底藍光LED 6-9毫瓦，達到了市場上藍寶石或碳化硅襯底GaN藍光LED中等水平，其中電學性能和可靠性可以和世界頂尖級藍寶石或碳化硅襯底GaN發(fā)光器件媲美。目前產(chǎn)能達到了40萬只/天，在制造成本、可靠性等方面具有明顯優(yōu)勢。此產(chǎn)品的研制成功，改變了日美等發(fā)達國家壟斷LED核心技術(shù)的局面，走出了一條有我國特色的LED發(fā)展之路。（編輯;ZQY）